2022年1月4日整理发布：正在开发中的突破性技术可能在未来某一天使手机和其他设备的电池在需要充电之前至少可以使用一周。随着IBM和三星宣布他们在半导体设计上的合作伙伴关系，这一说法可能接近实现，该设计将垂直堆叠晶体管在芯片上，而不是像当今大多数芯片所基于的著名FinFET技术那样将它们平放在晶片上。
被称为垂直传输纳米片场效应晶体管(VTFET)的新突破性设计将采用非常规的方法在芯片上排列晶体管。这种新方式意味着在芯片上垂直堆叠晶体管，以允许电流在晶体管上下流动，而不是在基于FinFET设计的芯片水平布局中左右流动。
这种新方法旨在取代当前的FinFET技术，以比目前更密集的晶体管封装芯片。IBM声称，与FinFET设计相比，VTFET设计可以将性能提高两倍或将能耗降低85%。
据IBM称，这项新技术将为最终用户带来许多好处。其中最突出的是智能手机电池在需要充电之前可以在小跑中运行一周的可能性。此外，VTFET技术还可以减少挖掘加密货币所需的能源，甚至可以帮助物联网(IoT)行业在减少能源使用的情况下蓬勃发展。
具有垂直晶体管排列的VTFET设计肯定会彻底改变消费电子行业，该行业主要因缺乏增加设备电池寿命方面的突破性创新而陷入困境。然而，IBM和三星的最新技术目前还远未得到充分证明，也没有关于它何时可以开始渗透到现实世界的信息。
